casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased / PDTA143ZQAZ
codice articolo del costruttore | PDTA143ZQAZ |
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Numero di parte futuro | FT-PDTA143ZQAZ |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101 |
PDTA143ZQAZ Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Transistor Type | PNP - Pre-Biased |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Resistor - Base (R1) | 4.7 kOhms |
Resistor - Emitter Base (R2) | 47 kOhms |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 10mA, 5V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 100mV @ 250µA, 5mA |
Corrente - Limite del collettore (max) | 1µA |
Frequenza - Transizione | 180MHz |
Potenza - Max | 280mW |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 3-XDFN Exposed Pad |
Pacchetto dispositivo fornitore | DFN1010D-3 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
PDTA143ZQAZ Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | PDTA143ZQAZ-FT |
PDTC143TM,315
Nexperia USA Inc.
PDTC143XM,315
Nexperia USA Inc.
PDTC143ZM,315
Nexperia USA Inc.
PDTC144EM,315
Nexperia USA Inc.
PDTC144TM,315
Nexperia USA Inc.
PDTC144VM,315
Nexperia USA Inc.
PDTC144WM,315
Nexperia USA Inc.
PDTA113EE,115
NXP USA Inc.
PDTA113ZE,115
NXP USA Inc.
PDTA114EE,115
NXP USA Inc.
XC6SLX150-3FG676C
Xilinx Inc.
XC3S2000-5FGG900C
Xilinx Inc.
XC4028XL-1HQ304I
Xilinx Inc.
A54SX32A-FGG256I
Microsemi Corporation
EP4CE22E22C9L
Intel
LCMXO2-7000ZE-3FG484I
Lattice Semiconductor Corporation
5CGXBC9E6F31C7N
Intel
EPF10K100EQC240-3N
Intel
EP1K100QC208-2
Intel
EP1SGX25DF1020C7N
Intel