casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased / PDTA114EQAZ
codice articolo del costruttore | PDTA114EQAZ |
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Numero di parte futuro | FT-PDTA114EQAZ |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101 |
PDTA114EQAZ Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Transistor Type | PNP - Pre-Biased |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Resistor - Base (R1) | 10 kOhms |
Resistor - Emitter Base (R2) | 10 kOhms |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 30 @ 5mA, 5V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 150mV @ 500µA, 10mA |
Corrente - Limite del collettore (max) | 1µA |
Frequenza - Transizione | 180MHz |
Potenza - Max | 280mW |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 3-XDFN Exposed Pad |
Pacchetto dispositivo fornitore | DFN1010D-3 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
PDTA114EQAZ Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | PDTA114EQAZ-FT |
PDTC123TM,315
Nexperia USA Inc.
PDTC123YM,315
Nexperia USA Inc.
PDTC124EM,315
Nexperia USA Inc.
PDTC124TM,315
Nexperia USA Inc.
PDTC124XM,315
Nexperia USA Inc.
PDTC143EM,315
Nexperia USA Inc.
PDTC143TM,315
Nexperia USA Inc.
PDTC143XM,315
Nexperia USA Inc.
PDTC143ZM,315
Nexperia USA Inc.
PDTC144EM,315
Nexperia USA Inc.
XC2S50-5TQ144C
Xilinx Inc.
XC6SLX100-2CSG484C
Xilinx Inc.
LCMXO1200C-4FTN256I
Lattice Semiconductor Corporation
5SGSMD6K3F40C4N
Intel
5SGXMABN3F45C3N
Intel
XC7VX550T-2FFG1927I
Xilinx Inc.
XC2VP50-6FF1152I
Xilinx Inc.
AGL250V2-CS196
Microsemi Corporation
EP20K400ERI240-3
Intel
EP20K160EQC208-2N
Intel