casa / prodotti / Sensori, trasduttori / Sensori magnetici - Interruttori (a stato solido) / PDRV5013AGQDBZT
codice articolo del costruttore | PDRV5013AGQDBZT |
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Numero di parte futuro | FT-PDRV5013AGQDBZT |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
PDRV5013AGQDBZT Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Funzione | Latch |
Tecnologia | Hall Effect |
Polarizzazione | South Pole |
Gamma di rilevamento | 9mT Trip, -9mT Release |
Condizione di test | -40°C ~ 125°C |
Tensione - Fornitura | 2.5V ~ 38V |
Corrente - Alimentazione (max) | 2.7mA (Typ) |
Corrente - Uscita (max) | 30mA |
Tipo di uscita | Open Drain |
Caratteristiche | Temperature Compensated |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 125°C (TA) |
Pacchetto / caso | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Pacchetto dispositivo fornitore | SOT-23-3 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
PDRV5013AGQDBZT Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | PDRV5013AGQDBZT-FT |
A3425ELTR-T
Allegro MicroSystems, LLC
A3425LL
Allegro MicroSystems, LLC
A3425LL-T
Allegro MicroSystems, LLC
A3425LLTR-T
Allegro MicroSystems, LLC
ABL004-10
NVE Corp/Sensor Products
AH372-SA-7
Diodes Incorporated
AH372-W-7
Diodes Incorporated
MRMS301A
Murata Electronics North America
MRMS501-001
Murata Electronics North America
MRMS501A
Murata Electronics North America
XC2VP30-5FGG676I
Xilinx Inc.
A3P1000L-FGG484
Microsemi Corporation
M1A3P600-2FG484I
Microsemi Corporation
APA300-CQ208M
Microsemi Corporation
EP4SE530H40C4ES
Intel
5SGSMD5H3F35I3LN
Intel
XC2V2000-5FFG896I
Xilinx Inc.
LFEC6E-3Q208I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-70E-6FN484I
Lattice Semiconductor Corporation
5SGSMD3H1F35C2LN
Intel