casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - RF / PD57030
codice articolo del costruttore | PD57030 |
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Numero di parte futuro | FT-PD57030 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
PD57030 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Transistor Type | LDMOS |
Frequenza | 945MHz |
Guadagno | 14dB |
Tensione - Test | 28V |
Valutazione attuale | 4A |
Figura di rumore | - |
Corrente - Test | 50mA |
Potenza - Uscita | 30W |
Tensione: nominale | 65V |
Pacchetto / caso | PowerSO-10 Exposed Bottom Pad |
Pacchetto dispositivo fornitore | 10-PowerSO |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
PD57030 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | PD57030-FT |
MMBFJ211
ON Semiconductor
MMBF5485
ON Semiconductor
2SK209-Y(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
2SK209-BL(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
MMBFJ309
ON Semiconductor
MMBF5484
ON Semiconductor
MMBFJ310
ON Semiconductor
2SK209-GR(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
BF999E6327HTSA1
Infineon Technologies
BF999E6433HTMA1
Infineon Technologies
XC2S50-5FGG256C
Xilinx Inc.
M7A3P1000-1FG256I
Microsemi Corporation
10CX085YU484I5G
Intel
EP4CE75F23C9LN
Intel
EP3SL340F1517I4L
Intel
A54SX32A-2BG329
Microsemi Corporation
A42MX16-1PQ160
Microsemi Corporation
A3P400-2FGG144I
Microsemi Corporation
LCMXO3L-1300C-5BG256I
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXBA5D4F31I5N
Intel