casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - RF / PD55025-E
codice articolo del costruttore | PD55025-E |
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Numero di parte futuro | FT-PD55025-E |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
PD55025-E Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Transistor Type | LDMOS |
Frequenza | 500MHz |
Guadagno | 14.5dB |
Tensione - Test | 12.5V |
Valutazione attuale | 7A |
Figura di rumore | - |
Corrente - Test | 200mA |
Potenza - Uscita | 25W |
Tensione: nominale | 40V |
Pacchetto / caso | PowerSO-10 Exposed Bottom Pad |
Pacchetto dispositivo fornitore | 10-PowerSO |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
PD55025-E Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | PD55025-E-FT |
BF909WR,115
NXP USA Inc.
BF909WR,135
NXP USA Inc.
BF998WR,115
NXP USA Inc.
NE34018-64-A
CEL
NE34018-A
CEL
NE34018-T1-64-A
CEL
NE34018-T1-A
CEL
SPF-3143
RFMD
MMBF4416A
ON Semiconductor
MMBF5486
ON Semiconductor
A40MX02-3VQG80
Microsemi Corporation
M2GL010T-1FG484
Microsemi Corporation
EP2C70F672C8
Intel
5SGSMD6N3F45I4N
Intel
EP3SL200F1152I4
Intel
XC4006E-4PC84C
Xilinx Inc.
XC7VX415T-3FFG1927E
Xilinx Inc.
A40MX02-1PQG100I
Microsemi Corporation
LFE2M20SE-5FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXFA7H4F35C4N
Intel