casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Array / PD410611
codice articolo del costruttore | PD410611 |
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Numero di parte futuro | FT-PD410611 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
PD410611 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Configurazione diodi | 1 Pair Series Connection |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 600V |
Corrente - Rettificato medio (Io) (per diodo) | 1100A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.25V @ 3000A |
Velocità | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 22µs |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 200mA @ 600V |
Temperatura operativa - Giunzione | - |
Tipo di montaggio | Chassis Mount |
Pacchetto / caso | POW-R-BLOK™ Module |
Pacchetto dispositivo fornitore | POW-R-BLOK™ Module |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
PD410611 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | PD410611-FT |
SET030624
Semtech Corporation
SET030711
Semtech Corporation
SET030803
Semtech Corporation
SET030804
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SET030811
Semtech Corporation
SET030812
Semtech Corporation
SET030819
Semtech Corporation
SET030823
Semtech Corporation
SET030824
Semtech Corporation
SET031003
Semtech Corporation
XC3S1000-4FG456C
Xilinx Inc.
M2GL050TS-1FCSG325I
Microsemi Corporation
M1AGLE3000V2-FGG484
Microsemi Corporation
EPF10K50SFC484-3
Intel
5SGXMA5N2F40I3N
Intel
5SGSMD3E3H29C2N
Intel
EP3SE110F1152C4N
Intel
XC2V1500-4BG575I
Xilinx Inc.
5CEFA5U19C6N
Intel
10AX090N2F40E1SG
Intel