casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - RF / PD20010STR-E
codice articolo del costruttore | PD20010STR-E |
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Numero di parte futuro | FT-PD20010STR-E |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
PD20010STR-E Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Transistor Type | LDMOS |
Frequenza | 2GHz |
Guadagno | 11dB |
Tensione - Test | 13.6V |
Valutazione attuale | 5A |
Figura di rumore | - |
Corrente - Test | 150mA |
Potenza - Uscita | 10W |
Tensione: nominale | 40V |
Pacchetto / caso | PowerSO-10RF Exposed Bottom Pad (2 Straight Leads) |
Pacchetto dispositivo fornitore | PowerSO-10RF (Straight Lead) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
PD20010STR-E Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | PD20010STR-E-FT |
ATF-58143-TR2G
Broadcom Limited
BF1100WR,115
NXP USA Inc.
BF1101WR,115
NXP USA Inc.
BF1101WR,135
NXP USA Inc.
BF1105WR,115
NXP USA Inc.
BF1105WR,135
NXP USA Inc.
BF1109WR,115
NXP USA Inc.
BF1201WR,115
NXP USA Inc.
BF1201WR,135
NXP USA Inc.
BF1202WR,115
NXP USA Inc.
EP20K60ETC144-2X
Intel
M1A3P1000L-FG484
Microsemi Corporation
LCMXO3L-4300E-5UWG81CTR50
Lattice Semiconductor Corporation
10M40DCF484C8G
Intel
EP4SGX230KF40C4N
Intel
XC7VX690T-2FF1157I
Xilinx Inc.
XC6VLX240T-2FFG1759I
Xilinx Inc.
AGL400V2-FG144T
Microsemi Corporation
LFE2-12SE-5FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-7000HE-4BG256C
Lattice Semiconductor Corporation