casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Single / PBSS8110TVL
codice articolo del costruttore | PBSS8110TVL |
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Numero di parte futuro | FT-PBSS8110TVL |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
PBSS8110TVL Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Transistor Type | NPN |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 1A |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 100V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 200mV @ 100mA, 1A |
Corrente - Limite del collettore (max) | 100nA |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 150 @ 250mA, 1V |
Potenza - Max | - |
Frequenza - Transizione | 100MHz |
temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-236AB |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
PBSS8110TVL Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | PBSS8110TVL-FT |
JANTXV2N3467
Microsemi Corporation
JANTXV2N3585
Microsemi Corporation
JANTXV2N3634
Microsemi Corporation
JANTXV2N3634L
Microsemi Corporation
JANTXV2N3635
Microsemi Corporation
JANTXV2N3635UB
Microsemi Corporation
JANTXV2N3636
Microsemi Corporation
JANTXV2N3636L
Microsemi Corporation
JANTXV2N3636UB
Microsemi Corporation
JANTXV2N3737UB
Microsemi Corporation
EPF6024ATC144-2N
Intel
XC2VP2-5FG456I
Xilinx Inc.
A54SX32A-FFG144
Microsemi Corporation
10M50DAF256C8G
Intel
EP4SGX530KH40C3N
Intel
5SGXEA7K3F35I3N
Intel
XC5VLX50T-1FFG1136CES
Xilinx Inc.
XC7S6-2CPGA196I
Xilinx Inc.
A54SX08A-FTQG100
Microsemi Corporation
LFE3-35EA-6FN672C
Lattice Semiconductor Corporation