casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Single / PBSS5620PA,115
codice articolo del costruttore | PBSS5620PA,115 |
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Numero di parte futuro | FT-PBSS5620PA,115 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
PBSS5620PA,115 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Transistor Type | PNP |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 6A |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 20V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 350mV @ 300mA, 6A |
Corrente - Limite del collettore (max) | 100nA |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 190 @ 2A, 2V |
Potenza - Max | 2.1W |
Frequenza - Transizione | 80MHz |
temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 3-PowerUDFN |
Pacchetto dispositivo fornitore | 3-HUSON (2x2) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
PBSS5620PA,115 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | PBSS5620PA,115-FT |
PBSS3540MB,315
Nexperia USA Inc.
2PA1774QMB,315
Nexperia USA Inc.
2PC4617QMB,315
Nexperia USA Inc.
2PC4617RMB,315
Nexperia USA Inc.
BC846BM,315
Nexperia USA Inc.
BC847AMB,315
Nexperia USA Inc.
BC847BMB,315
Nexperia USA Inc.
BC847CMB,315
Nexperia USA Inc.
BC856BMBYL
Nexperia USA Inc.
BC857AMB,315
Nexperia USA Inc.
XC3S200-4TQ144I
Xilinx Inc.
XC3S1000-4FGG320I
Xilinx Inc.
XCV600E-7FG676C
Xilinx Inc.
LFE5UM-45F-7BG381I
Lattice Semiconductor Corporation
A3PN250-1VQG100
Microsemi Corporation
5SGXEA7K1F40I2N
Intel
XA6SLX9-3CSG324I
Xilinx Inc.
A54SX32A-FGG144I
Microsemi Corporation
LFEC1E-4QN208C
Lattice Semiconductor Corporation
5SGXMA3H3F35I4N
Intel