casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Array / PBSS5160PAP,115
codice articolo del costruttore | PBSS5160PAP,115 |
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Numero di parte futuro | FT-PBSS5160PAP,115 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
PBSS5160PAP,115 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Transistor Type | 2 PNP (Dual) |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 1A |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 60V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 340mV @ 100mA, 1A |
Corrente - Limite del collettore (max) | 100nA (ICBO) |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 120 @ 500mA, 2V |
Potenza - Max | 510mW |
Frequenza - Transizione | 125MHz |
temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 6-UDFN Exposed Pad |
Pacchetto dispositivo fornitore | 6-HUSON-EP (2x2) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
PBSS5160PAP,115 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | PBSS5160PAP,115-FT |
MBT3946DW1T2G
ON Semiconductor
SBC847BDW1T1G
ON Semiconductor
BC856BDW1T3G
ON Semiconductor
SBC847BDW1T3G
ON Semiconductor
NST45010MW6T1G
ON Semiconductor
SMBT3906DW1T1G
ON Semiconductor
SMBT3946DW1T1G
ON Semiconductor
MBT2222ADW1T1G
ON Semiconductor
NST65010MW6T1G
ON Semiconductor
SBC846BDW1T1G
ON Semiconductor
EX64-TQ64I
Microsemi Corporation
A54SX08A-TQG144I
Microsemi Corporation
A54SX32A-TQG144I
Microsemi Corporation
XC6SLX16-3FT256C
Xilinx Inc.
M1AFS600-2FG256
Microsemi Corporation
5CGXFC4C6F27I7N
Intel
EP4CGX75CF23C6
Intel
5SGXEBBR3H43I4N
Intel
XC2VP7-5FFG672C
Xilinx Inc.
AGL125V5-FGG144
Microsemi Corporation