casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Single / PBSS4350TVL
codice articolo del costruttore | PBSS4350TVL |
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Numero di parte futuro | FT-PBSS4350TVL |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
PBSS4350TVL Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Transistor Type | NPN |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 2A |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 370mV @ 300mA, 3A |
Corrente - Limite del collettore (max) | 100nA (ICBO) |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 300 @ 1A, 2V |
Potenza - Max | - |
Frequenza - Transizione | 100MHz |
temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-236AB |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
PBSS4350TVL Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | PBSS4350TVL-FT |
JANTXV2N3251A
Microsemi Corporation
JANTXV2N3251AUB
Microsemi Corporation
JANTXV2N3419
Microsemi Corporation
JANTXV2N3439U4
Microsemi Corporation
JANTXV2N3439UA
Microsemi Corporation
JANTXV2N3442
Microsemi Corporation
JANTXV2N3467
Microsemi Corporation
JANTXV2N3585
Microsemi Corporation
JANTXV2N3634
Microsemi Corporation
JANTXV2N3634L
Microsemi Corporation
XA7A100T-1FGG484I
Xilinx Inc.
A3PE600-1FG484I
Microsemi Corporation
EP4CE10F17C8LN
Intel
5SGXEA4H2F35C1N
Intel
EP3SE110F1152C2N
Intel
XCS10XL-5PC84C
Xilinx Inc.
XC4VLX25-11FFG676I
Xilinx Inc.
M2GL060T-FGG676
Microsemi Corporation
LFE3-70E-6FN1156C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S60B956C7
Intel