casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Single / PBSS4350D,135
codice articolo del costruttore | PBSS4350D,135 |
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Numero di parte futuro | FT-PBSS4350D,135 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
PBSS4350D,135 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Transistor Type | NPN |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 3A |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 290mV @ 200mA, 2A |
Corrente - Limite del collettore (max) | 100nA (ICBO) |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 2A, 2V |
Potenza - Max | 750mW |
Frequenza - Transizione | 100MHz |
temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | SC-74, SOT-457 |
Pacchetto dispositivo fornitore | 6-TSOP |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
PBSS4350D,135 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | PBSS4350D,135-FT |
MMBT3702
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MMBT3904K
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MMBT3904LT3
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MMBT3904_D87Z
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MMBT3906K
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MMBT3906_D87Z
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MMBT3906_F080
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MMBT3906_NL
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XC6SLX100-3FG484I
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A3P1000-2PQG208
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5SGXEA5N2F45C2LN
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5SGXMABK3H40C2LN
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EP1AGX60EF1152I6N
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XC7K325T-2FFG900I
Xilinx Inc.
LFE3-70EA-7LFN1156C
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10AX057H2F34E1SG
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EP4SGX180FF35C2X
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