casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Single / PBSS3540M,315
codice articolo del costruttore | PBSS3540M,315 |
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Numero di parte futuro | FT-PBSS3540M,315 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
PBSS3540M,315 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Transistor Type | PNP |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 500mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 40V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 350mV @ 50mA, 500mA |
Corrente - Limite del collettore (max) | 100nA (ICBO) |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 150 @ 100mA, 2V |
Potenza - Max | 430mW |
Frequenza - Transizione | 300MHz |
temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | SC-101, SOT-883 |
Pacchetto dispositivo fornitore | DFN1006-3 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
PBSS3540M,315 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | PBSS3540M,315-FT |
BSP19AT1G
ON Semiconductor
BSP52T1
ON Semiconductor
BSP52T3
ON Semiconductor
MMJT350T1
ON Semiconductor
MMJT9410T1
ON Semiconductor
MMJT9410T1G
ON Semiconductor
MMJT9435T1
ON Semiconductor
MMJT9435T1G
ON Semiconductor
MMJT9435T3
ON Semiconductor
MMJT9435T3G
ON Semiconductor
M2GL050T-FCSG325
Microsemi Corporation
A42MX36-1CQ256
Microsemi Corporation
5SGXEA3K1F40C2N
Intel
EP4SE360H29C3N
Intel
10AX032E3F27E2LG
Intel
10AX022E4F29I3LG
Intel
XA7A35T-1CPG236Q
Xilinx Inc.
LCMXO2-2000ZE-2FTG256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SE110F780C2N
Intel
EP3SL110F780I4L
Intel