codice articolo del costruttore | PB62-F |
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Numero di parte futuro | FT-PB62-F |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
PB62-F Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Discontinued at Future Semiconductor |
Diodo | Single Phase |
Tecnologia | Standard |
Voltage - Peak Reverse (Max) | 200V |
Corrente: media rettificata (Io) | 6A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.1V @ 3A |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 10µA @ 200V |
temperatura di esercizio | -65°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | 4-Square, PB-6 |
Pacchetto dispositivo fornitore | PB-6 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
PB62-F Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | PB62-F-FT |
DF01S2
ON Semiconductor
DF005S
ON Semiconductor
DF005S1
ON Semiconductor
DF005S2
ON Semiconductor
GBPC2504W
ON Semiconductor
GBPC1504W
ON Semiconductor
GBPC3508W
ON Semiconductor
GBPC1510W
ON Semiconductor
GBPC35005W
ON Semiconductor
GBPC2501W
ON Semiconductor
A1010B-2VQG80C
Microsemi Corporation
XC6SLX75-L1FGG676I
Xilinx Inc.
XC7A15T-2FGG484C
Xilinx Inc.
LCMXO2-256HC-5SG32I
Lattice Semiconductor Corporation
A40MX04-1PLG68
Microsemi Corporation
A3P250L-1VQG100
Microsemi Corporation
5SGXEA3K2F40I3N
Intel
XC6VLX75T-1FF784I
Xilinx Inc.
LCMXO2-7000HE-6FTG256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGZ350FF35I3N
Intel