casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / P600M-E3/73
codice articolo del costruttore | P600M-E3/73 |
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Numero di parte futuro | FT-P600M-E3/73 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
P600M-E3/73 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 1000V |
Corrente: media rettificata (Io) | 6A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1V @ 6A |
Velocità | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 2.5µs |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 5µA @ 1000V |
Capacità @ Vr, F | 150pF @ 4V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | P600, Axial |
Pacchetto dispositivo fornitore | P600 |
Temperatura operativa - Giunzione | -50°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
P600M-E3/73 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | P600M-E3/73-FT |
SD103CW-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
1N4150W-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAS16D-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAT54W-G3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAV19W-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
GSD2004W-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
1N4148W-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
1N4148W-G3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
1N4148W-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
1N4150W-G3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
EP20K30ETC144-2
Intel
XC2V6000-6FFG1517C
Xilinx Inc.
XC4020XL-2PQ208C
Xilinx Inc.
M1A3P400-FG484
Microsemi Corporation
A3P250-FGG256T
Microsemi Corporation
A3PE600-1PQG208I
Microsemi Corporation
5SGXMB5R3F40I4N
Intel
5SGXMBBR3H43C2LN
Intel
LCMXO3LF-2100E-6MG121I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066N2F40I1SG
Intel