casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / P600K-E3/73
codice articolo del costruttore | P600K-E3/73 |
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Numero di parte futuro | FT-P600K-E3/73 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
P600K-E3/73 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 800V |
Corrente: media rettificata (Io) | 6A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 900mV @ 6A |
Velocità | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 2.5µs |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 5µA @ 800V |
Capacità @ Vr, F | 150pF @ 4V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | P600, Axial |
Pacchetto dispositivo fornitore | P600 |
Temperatura operativa - Giunzione | -50°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
P600K-E3/73 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | P600K-E3/73-FT |
1N4148W-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
1N4148W-G3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
1N4148W-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
1N4150W-G3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
1N4150W-G3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
1N4150W-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
1N4151W-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
1N4151W-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
1N4151W-G3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
1N4151W-G3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
APA450-PQ208I
Microsemi Corporation
5SGXMA3E2H29I2LN
Intel
5SGXEA4K3F35C4N
Intel
XC5VLX30-3FF324C
Xilinx Inc.
XCV200-5BG256I
Xilinx Inc.
A42MX24-1PLG84M
Microsemi Corporation
M1AGL600V5-FG144I
Microsemi Corporation
EP2AGX95EF29C4N
Intel
EP3SE110F780I3N
Intel
HC20K600BC652
Intel