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codice articolo del costruttore | P1170.642NLT |
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Numero di parte futuro | FT-P1170.642NLT |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | P1170NL |
P1170.642NLT Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
genere | Wirewound |
Materiale: core | - |
Induttanza | 6.4µH |
Tolleranza | ±30% |
Valutazione attuale | 5.3A |
Corrente - Saturazione | 5.8A |
Schermatura | Shielded |
Resistenza DC (DCR) | 18 mOhm Max |
Q @ Freq | - |
Frequenza - Autorisonante | 26MHz |
Giudizi | - |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 130°C |
Frequenza di induttanza - Test | 100kHz |
Caratteristiche | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | Nonstandard |
Pacchetto dispositivo fornitore | - |
Dimensione / Dimensione | 0.482" L x 0.482" W (12.24mm x 12.24mm) |
Altezza - Seduto (max) | 0.236" (6.00mm) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
P1170.642NLT Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | P1170.642NLT-FT |
PA0390.683NLT
Pulse Electronics Power
PA0277NL
Pulse Electronics Power
PA0277NLT
Pulse Electronics Power
PA0235L
Pulse Electronics Power
P2004NLT
Pulse Electronics Power
P1967L
Pulse Electronics Power
P1715LNL
Pulse Electronics Power
P1252.222NL
Pulse Electronics Power
P1252.472NL
Pulse Electronics Power
P1252.332NL
Pulse Electronics Power
XC3S700A-4FG400C
Xilinx Inc.
M7A3P1000-2PQ208I
Microsemi Corporation
A42MX36-1CQ256B
Microsemi Corporation
5CEBA9F27C7N
Intel
5SGXEB6R3F40C2N
Intel
10AX048E4F29E3LG
Intel
LFXP2-5E-6FT256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2M50SE-5F484C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115H4F34I3SGES
Intel
EP1S80F1508C7N
Intel