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codice articolo del costruttore | P1170.642NLT |
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Numero di parte futuro | FT-P1170.642NLT |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | P1170NL |
P1170.642NLT Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
genere | Wirewound |
Materiale: core | - |
Induttanza | 6.4µH |
Tolleranza | ±30% |
Valutazione attuale | 5.3A |
Corrente - Saturazione | 5.8A |
Schermatura | Shielded |
Resistenza DC (DCR) | 18 mOhm Max |
Q @ Freq | - |
Frequenza - Autorisonante | 26MHz |
Giudizi | - |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 130°C |
Frequenza di induttanza - Test | 100kHz |
Caratteristiche | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | Nonstandard |
Pacchetto dispositivo fornitore | - |
Dimensione / Dimensione | 0.482" L x 0.482" W (12.24mm x 12.24mm) |
Altezza - Seduto (max) | 0.236" (6.00mm) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
P1170.642NLT Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | P1170.642NLT-FT |
PA0390.683NLT
Pulse Electronics Power
PA0277NL
Pulse Electronics Power
PA0277NLT
Pulse Electronics Power
PA0235L
Pulse Electronics Power
P2004NLT
Pulse Electronics Power
P1967L
Pulse Electronics Power
P1715LNL
Pulse Electronics Power
P1252.222NL
Pulse Electronics Power
P1252.472NL
Pulse Electronics Power
P1252.332NL
Pulse Electronics Power
A3P600L-FGG484
Microsemi Corporation
LCMXO3L-4300E-5UWG81CTR50
Lattice Semiconductor Corporation
A1010B-1PL68C
Microsemi Corporation
A42MX09-3VQ100I
Microsemi Corporation
5SGSMD5K3F40I4
Intel
XC7A200T-3FBG484E
Xilinx Inc.
XC4VFX60-11FF1152C
Xilinx Inc.
LFE2M50E-6FN900I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2M70E-5FN900I
Lattice Semiconductor Corporation
EP4CE55F29C7
Intel