codice articolo del costruttore | NZT660 |
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Numero di parte futuro | FT-NZT660 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
NZT660 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Transistor Type | PNP |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 3A |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 60V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 550mV @ 300mA, 3A |
Corrente - Limite del collettore (max) | 100nA (ICBO) |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 500mA, 2V |
Potenza - Max | 2W |
Frequenza - Transizione | 75MHz |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | TO-261-4, TO-261AA |
Pacchetto dispositivo fornitore | SOT-223-4 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NZT660 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | NZT660-FT |
TIP30ATU
ON Semiconductor
TIP31ATU
ON Semiconductor
TIP31ATU_F129
ON Semiconductor
TIP32BTU
ON Semiconductor
TIP32CTSTU
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TIP41BTU
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TIP42CTU
ON Semiconductor
TIP47TU
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TIP49TU
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BD434S
ON Semiconductor
XC4005XL-3TQ144C
Xilinx Inc.
ICE40LM1K-SWG25TR1K
Lattice Semiconductor Corporation
A3PN125-VQG100I
Microsemi Corporation
A3P060-1VQG100I
Microsemi Corporation
5CEFA7F27C6N
Intel
EP4CE6E22I8LN
Intel
5CGXFC5F6M11C6N
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EP3SL110F1152C4LN
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5AGXBB3D4F35I5G
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5AGXFA7H4F35I3N
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