casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / NXPSC10650XQ
codice articolo del costruttore | NXPSC10650XQ |
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Numero di parte futuro | FT-NXPSC10650XQ |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
NXPSC10650XQ Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Discontinued at Future Semiconductor |
Diodo | Silicon Carbide Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 650V |
Corrente: media rettificata (Io) | 10A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.7V @ 10A |
Velocità | No Recovery Time > 500mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 0ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 250µA @ 650V |
Capacità @ Vr, F | 300pF @ 1V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-220-2 Full Pack, Isolated Tab |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-220F |
Temperatura operativa - Giunzione | 175°C (Max) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NXPSC10650XQ Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | NXPSC10650XQ-FT |
MBRF16H50-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRF16H50HE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRM120ET1H
ON Semiconductor
MBRM120LT3H
ON Semiconductor
MBRM130LT1H
ON Semiconductor
MBRM140T1H
ON Semiconductor
MBRM140T3H
ON Semiconductor
MBRM760-13-F
Diodes Incorporated
MBRP745TU
ON Semiconductor
MBRS1100T3H
ON Semiconductor
XCV812E-6FG900C
Xilinx Inc.
XC2S150-5FGG456I
Xilinx Inc.
A3PN250-1VQ100I
Microsemi Corporation
10M50DCF484C8G
Intel
5SGSMD5K2F40C3
Intel
5SGSED8N1F45C2L
Intel
LFXP2-40E-5FN672I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO3LF-9400E-6MG256I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-35EA-6FN672I
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K1500EBC652-1X
Intel