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WeEn Semiconductors NXPSC08650BJ

Numero parte MFG
NXPSC08650BJ
quantità disponibile
82950 pezzi
Prezzo di riferimento
USD 0
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Data di spedizione
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fabbricante
WeEn Semiconductors
Breve descrizione
- DIODE SCHOTTKY 650V 8A D2PAK
Stato senza piombo / Stato RoHS
Conformità RoHS (senza piombo)
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (illimitato)
Codice data (D / C)
Nuovo
categoria di prodotto
Diodi - Raddrizzatori - Singoli
Risorsa stock
Distributore in franchising
Garanzia
360 giorni di garanzia di qualità
scheda dati
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codice articolo del costruttore NXPSC08650BJ
Numero di parte futuro FT-NXPSC08650BJ
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Materiale di imballaggio Reel/Tray/Tube/Others
serie -
NXPSC08650BJ Stato (ciclo di vita) Disponibile
Stato parte Discontinued at Future Semiconductor
Diodo Silicon Carbide Schottky
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) 650V
Corrente: media rettificata (Io) 8A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If 1.7V @ 8A
Velocità No Recovery Time > 500mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr) 0ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr 230µA @ 650V
Capacità @ Vr, F 260pF @ 1V, 1MHz
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto / caso TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Pacchetto dispositivo fornitore D2PAK
Temperatura operativa - Giunzione 175°C (Max)
Paese d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
NXPSC08650BJ Peso Contattaci
Numero parte di ricambio NXPSC08650BJ-FT

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