casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / NXPSC08650BJ
codice articolo del costruttore | NXPSC08650BJ |
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Numero di parte futuro | FT-NXPSC08650BJ |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
NXPSC08650BJ Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Discontinued at Future Semiconductor |
Diodo | Silicon Carbide Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 650V |
Corrente: media rettificata (Io) | 8A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.7V @ 8A |
Velocità | No Recovery Time > 500mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 0ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 230µA @ 650V |
Capacità @ Vr, F | 260pF @ 1V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Pacchetto dispositivo fornitore | D2PAK |
Temperatura operativa - Giunzione | 175°C (Max) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NXPSC08650BJ Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | NXPSC08650BJ-FT |
MBRF10H90CTHE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRF10H90HE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRF1650-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRF1650HE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRF16H35-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRF16H50-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRF16H50HE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRM120ET1H
ON Semiconductor
MBRM120LT3H
ON Semiconductor
MBRM130LT1H
ON Semiconductor
XC4010XL-1TQ144C
Xilinx Inc.
XC6SLX150-N3FG900C
Xilinx Inc.
A3P250-1VQG100I
Microsemi Corporation
A3PN250-Z1VQG100
Microsemi Corporation
EP4CGX50DF27C8N
Intel
5SGXEA5K3F35C2N
Intel
XC5VLX110T-2FF1136I
Xilinx Inc.
LCMXO2-4000HC-4BG256I
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXFB3H4F35I3N
Intel
EP2AGX45DF29C6N
Intel