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ON Semiconductor NXH80T120L2Q0S2G

Numero parte MFG
NXH80T120L2Q0S2G
quantità disponibile
73950 pezzi
Prezzo di riferimento
USD 45.736
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fabbricante
ON Semiconductor
Breve descrizione
- PIM 1200V 80A TNPC CUSTO
Stato senza piombo / Stato RoHS
Conformità RoHS (senza piombo)
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (illimitato)
Codice data (D / C)
Nuovo
categoria di prodotto
Transistor - IGBT - Moduli
Risorsa stock
Distributore in franchising
Garanzia
360 giorni di garanzia di qualità
scheda dati
NXH80T120L2Q0S2G.pdf
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NXH80T120L2Q0S2G specificazioni

codice articolo del costruttore NXH80T120L2Q0S2G
Numero di parte futuro FT-NXH80T120L2Q0S2G
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Materiale di imballaggio Reel/Tray/Tube/Others
serie -
NXH80T120L2Q0S2G Stato (ciclo di vita) Disponibile
Stato parte Active
Tipo IGBT Trench Field Stop
Configurazione Three Level Inverter
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V
Corrente - Collector (Ic) (Max) 57A
Potenza - Max 125W
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.85V @ 15V, 80A
Corrente - Limite del collettore (max) 300µA
Capacità di ingresso (Cies) @ Vce 19.4nF @ 25V
Ingresso Standard
Termistore NTC Yes
temperatura di esercizio -40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Chassis Mount
Pacchetto / caso Module
Pacchetto dispositivo fornitore 18-PIM/Q0PACK (55x32.5)
Paese d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
NXH80T120L2Q0S2G Peso Contattaci
Numero parte di ricambio NXH80T120L2Q0S2G-FT

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