casa / prodotti / resistenze / Resistori a foro passante / NWW10JB10R0
codice articolo del costruttore | NWW10JB10R0 |
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Numero di parte futuro | FT-NWW10JB10R0 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | WW |
NWW10JB10R0 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Resistenza | 10 Ohms |
Tolleranza | ±5% |
Potenza (Watt) | 10W |
Composizione | Wirewound |
Caratteristiche | Moisture Resistant, Non-Inductive |
Coefficiente di temperatura | ±50ppm/°C |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 350°C |
Pacchetto / caso | Axial |
Pacchetto dispositivo fornitore | Axial |
Dimensione / Dimensione | 0.375" Dia x 1.780" L (9.53mm x 45.21mm) |
Altezza - Seduto (max) | - |
Numero di terminazioni | 2 |
Tasso di fallimento | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NWW10JB10R0 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | NWW10JB10R0-FT |
WW3JT20R0
Stackpole Electronics Inc
WW3JT22R0
Stackpole Electronics Inc
WW3JT24R0
Stackpole Electronics Inc
WW3JT2K00
Stackpole Electronics Inc
WW3JT2R00
Stackpole Electronics Inc
WW3JT2R60
Stackpole Electronics Inc
WW3JT2R70
Stackpole Electronics Inc
WW3JT330R
Stackpole Electronics Inc
WW3JT33R0
Stackpole Electronics Inc
WW3JT390R
Stackpole Electronics Inc
A54SX16A-1TQG144
Microsemi Corporation
AGL600V5-FG256
Microsemi Corporation
EP3CLS70F484C7N
Intel
5SGXEA3K2F35I2N
Intel
A1020B-PL44I
Microsemi Corporation
XC4VFX40-10FFG1152C
Xilinx Inc.
XC6VSX315T-L1FFG1156I
Xilinx Inc.
A42MX24-PL84I
Microsemi Corporation
EPF10K50EQC240-2N
Intel
5SGXEA3H2F35I2N
Intel