casa / prodotti / resistenze / Resistori a foro passante / NWW10FB11R0
codice articolo del costruttore | NWW10FB11R0 |
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Numero di parte futuro | FT-NWW10FB11R0 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | WW |
NWW10FB11R0 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Resistenza | 11 Ohms |
Tolleranza | ±1% |
Potenza (Watt) | 10W |
Composizione | Wirewound |
Caratteristiche | Moisture Resistant, Non-Inductive |
Coefficiente di temperatura | ±20ppm/°C |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 350°C |
Pacchetto / caso | Axial |
Pacchetto dispositivo fornitore | Axial |
Dimensione / Dimensione | 0.375" Dia x 1.780" L (9.53mm x 45.21mm) |
Altezza - Seduto (max) | - |
Numero di terminazioni | 2 |
Tasso di fallimento | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NWW10FB11R0 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | NWW10FB11R0-FT |
WW3JT1K30
Stackpole Electronics Inc
WW3JT1K50
Stackpole Electronics Inc
WW3JT1R00
Stackpole Electronics Inc
WW3JT20R0
Stackpole Electronics Inc
WW3JT22R0
Stackpole Electronics Inc
WW3JT24R0
Stackpole Electronics Inc
WW3JT2K00
Stackpole Electronics Inc
WW3JT2R00
Stackpole Electronics Inc
WW3JT2R60
Stackpole Electronics Inc
WW3JT2R70
Stackpole Electronics Inc
AT6010A-2AI
Microchip Technology
A1415A-PQG100M
Microsemi Corporation
APA1000-PQG208A
Microsemi Corporation
5SGXMA4K2F40I3LN
Intel
5SGSMD4E2H29I2L
Intel
10AX027E4F27I3SG
Intel
LCMXO2-7000ZE-2BG256I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640C-4B256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX95EF35C6
Intel
EP3C40Q240C8N
Intel