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ON Semiconductor NVTFS6H888NTAG

Numero parte MFG
NVTFS6H888NTAG
quantità disponibile
30730 pezzi
Prezzo di riferimento
USD 0.541592
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fabbricante
ON Semiconductor
Breve descrizione
Automotive, AEC-Q101 T8 80V U8FL
Stato senza piombo / Stato RoHS
Conformità RoHS (senza piombo)
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (illimitato)
Codice data (D / C)
Nuovo
categoria di prodotto
Transistor - FET, MOSFETs - Single
Risorsa stock
Distributore in franchising
Garanzia
360 giorni di garanzia di qualità
scheda dati
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codice articolo del costruttore NVTFS6H888NTAG
Numero di parte futuro FT-NVTFS6H888NTAG
SPQ / MOQ Contattaci
Materiale di imballaggio Reel/Tray/Tube/Others
serie Automotive, AEC-Q101
NVTFS6H888NTAG Stato (ciclo di vita) Disponibile
Stato parte Active
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 80V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 4.7A (Ta), 12A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 55 mOhm @ 5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 15µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 4.7nC @ 10V
Vgs (massimo) ±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 220pF @ 40V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) 2.9W (Ta), 18W (Tc)
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore 8-WDFN (3.3x3.3)
Pacchetto / caso 8-PowerWDFN
Paese d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
NVTFS6H888NTAG Peso Contattaci
Numero parte di ricambio NVTFS6H888NTAG-FT

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