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ON Semiconductor NVTFS6H850NTAG

Name: NVTFS6H850NTAG
Brand: ON Semiconductor
SKU: NVTFS6H850NTAG
Price: 0.391912 USD
Availability: InStock
Rating: 4.6 (389 reviews)

Numero parte MFG: NVTFS6H850NTAG

quantità disponibile: 85520 pezzi

Prezzo di riferimento: USD 0.391912

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fabbricante: ON Semiconductor

Breve descrizione: Automotive, AEC-Q101 MOSFET N-CH 80V 68A TRENCH 8WDFN

Stato senza piombo / Stato RoHS: Conformità RoHS (senza piombo)

Livello di sensibilità all'umidità (MSL): 1 (illimitato)

Codice data (D / C): Nuovo

categoria di prodotto: Transistor - FET, MOSFETs - Single

Risorsa stock: Distributore in franchising

Garanzia: 360 giorni di garanzia di qualità

scheda dati: NVTFS6H850NTAG.pdf

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NVTFS6H850NTAG specificazioni

codice articolo del costruttore	NVTFS6H850NTAG
Numero di parte futuro	FT-NVTFS6H850NTAG
SPQ / MOQ	Contattaci
Materiale di imballaggio	Reel/Tray/Tube/Others
serie	Automotive, AEC-Q101
NVTFS6H850NTAG Stato (ciclo di vita)	Disponibile
Stato parte	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	80V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	11A (Ta), 68A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	9.5 mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 70µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	19nC @ 10V
Vgs (massimo)	±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	1140pF @ 40V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	3.2W (Ta), 107W (Tc)
temperatura di esercizio	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	8-WDFN (3.3x3.3)
Pacchetto / caso	8-PowerWDFN
Paese d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
NVTFS6H850NTAG Peso	Contattaci
Numero parte di ricambio	NVTFS6H850NTAG-FT

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