casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / NVMFS6H818NWFT1G
codice articolo del costruttore | NVMFS6H818NWFT1G |
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Numero di parte futuro | FT-NVMFS6H818NWFT1G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101 |
NVMFS6H818NWFT1G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 80V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 20A (Ta), 123A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.7 mOhm @ 20A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 190µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 46nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 3100pF @ 40V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 3.8W (Ta), 136W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | 5-DFN (5x6) (8-SOFL) |
Pacchetto / caso | 8-PowerTDFN, 5 Leads |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NVMFS6H818NWFT1G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | NVMFS6H818NWFT1G-FT |
NTTFS4937NTAG
ON Semiconductor
NTTFS4937NTWG
ON Semiconductor
NTTFS4939NTAG
ON Semiconductor
NTTFS4939NTWG
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NTTFS4941NTWG
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NTTFS4965NFTAG
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NTTFS4985NFTWG
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NTTFS4C02NTAG
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LCMXO256C-4T100I
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A54SX32A-FGG484
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XC7K355T-1FFG901I
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Xilinx Inc.
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LCMXO2-4000HE-6MG184C
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Lattice Semiconductor Corporation
10AX090N2F45I2SG
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