casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / NVMFS6H800NT1G
codice articolo del costruttore | NVMFS6H800NT1G |
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Numero di parte futuro | FT-NVMFS6H800NT1G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101 |
NVMFS6H800NT1G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 80V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 28A (Ta), 203A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.1 mOhm @ 50A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 330µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 85nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 5530pF @ 40V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 3.8W (Ta), 200W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | 5-DFN (5x6) (8-SOFL) |
Pacchetto / caso | 8-PowerTDFN, 5 Leads |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NVMFS6H800NT1G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | NVMFS6H800NT1G-FT |
NTMFS4C13NT3G
ON Semiconductor
NTMFS4C35NT1G
ON Semiconductor
NTMFS4C35NT3G
ON Semiconductor
NTMFS4C50NT1G
ON Semiconductor
NTMFS4C55NT3G
ON Semiconductor
NTMFS4C59NT1G
ON Semiconductor
NTMFS4C59NT3G
ON Semiconductor
NTMFS5844NLT1G
ON Semiconductor
NTMFS5C404NLT1G
ON Semiconductor
NTMFS5C404NLT3G
ON Semiconductor
EX64-TQ100I
Microsemi Corporation
M2GL090T-FCSG325I
Microsemi Corporation
M1AFS600-2FG256I
Microsemi Corporation
5SGXMA7N2F40I3N
Intel
XCS05-3PC84C
Xilinx Inc.
XC2V4000-5FFG1152I
Xilinx Inc.
AGL600V5-FGG144
Microsemi Corporation
EP3SL150F780C4LN
Intel
EPF10K30RC240-4N
Intel
EP1S60F1020C5N
Intel