casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / NVMFS5C673NLWFAFT1G
codice articolo del costruttore | NVMFS5C673NLWFAFT1G |
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Numero di parte futuro | FT-NVMFS5C673NLWFAFT1G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101 |
NVMFS5C673NLWFAFT1G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 50A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 9.2 mOhm @ 25A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 35µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 9.5nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 880pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 46W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | 5-DFN (5x6) (8-SOFL) |
Pacchetto / caso | 8-PowerTDFN, 5 Leads |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NVMFS5C673NLWFAFT1G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | NVMFS5C673NLWFAFT1G-FT |
NVTFS5824NLTAG
ON Semiconductor
NVTFS5824NLTWG
ON Semiconductor
NVTFS5824NLWFTAG
ON Semiconductor
NVTFS5824NLWFTWG
ON Semiconductor
NVTFS5826NLTWG
ON Semiconductor
NVTFS5826NLWFTWG
ON Semiconductor
NVTFS5C658NLTAG
ON Semiconductor
NVTFS5C658NLWFTAG
ON Semiconductor
NTMFS5C468NLT1G
ON Semiconductor
NTMFS4835NT1G
ON Semiconductor
A3PE600-2FGG484I
Microsemi Corporation
M1A3P600-2PQ208
Microsemi Corporation
LFE3-35EA-8LFTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
AGLN060V5-ZVQ100
Microsemi Corporation
10M25DAF256C7G
Intel
EP3SE260F1152I3
Intel
LCMXO640C-4M100C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SE110F780C2
Intel
10AX048E2F29I1HG
Intel
EP20K60EQC208-1
Intel