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ON Semiconductor NVMFS5C612NLWFAFT3G

Numero parte MFG
NVMFS5C612NLWFAFT3G
quantità disponibile
36710 pezzi
Prezzo di riferimento
USD 0.820592
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fabbricante
ON Semiconductor
Breve descrizione
Automotive, AEC-Q101 MOSFET N-CH 60V 38A 250A 5DFN
Stato senza piombo / Stato RoHS
Conformità RoHS (senza piombo)
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (illimitato)
Codice data (D / C)
Nuovo
categoria di prodotto
Transistor - FET, MOSFETs - Single
Risorsa stock
Distributore in franchising
Garanzia
360 giorni di garanzia di qualità
scheda dati
NVMFS5C612NLWFAFT3G.pdf
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NVMFS5C612NLWFAFT3G specificazioni

codice articolo del costruttore NVMFS5C612NLWFAFT3G
Numero di parte futuro FT-NVMFS5C612NLWFAFT3G
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Materiale di imballaggio Reel/Tray/Tube/Others
serie Automotive, AEC-Q101
NVMFS5C612NLWFAFT3G Stato (ciclo di vita) Disponibile
Stato parte Not For New Designs
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 60V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 38A (Ta), 250A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.36 mOhm @ 50A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 91nC @ 10V
Vgs (massimo) ±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 6660pF @ 25V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) 3.8W (Ta), 167W (Tc)
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Pacchetto / caso 8-PowerTDFN, 5 Leads
Paese d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
NVMFS5C612NLWFAFT3G Peso Contattaci
Numero parte di ricambio NVMFS5C612NLWFAFT3G-FT

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