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ON Semiconductor NVMFS5C612NLAFT1G

Name: NVMFS5C612NLAFT1G
Brand: ON Semiconductor
SKU: NVMFS5C612NLAFT1G
Price: 1.051424 USD
Availability: InStock
Rating: 4.7 (689 reviews)

Numero parte MFG: NVMFS5C612NLAFT1G

quantità disponibile: 70040 pezzi

Prezzo di riferimento: USD 1.051424

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Data di spedizione: Oggi possiamo spedire

fabbricante: ON Semiconductor

Breve descrizione: Automotive, AEC-Q101 MOSFET N-CH 60V 38A 250A 5DFN

Stato senza piombo / Stato RoHS: Conformità RoHS (senza piombo)

Livello di sensibilità all'umidità (MSL): 1 (illimitato)

Codice data (D / C): Nuovo

categoria di prodotto: Transistor - FET, MOSFETs - Single

Risorsa stock: Distributore in franchising

Garanzia: 360 giorni di garanzia di qualità

scheda dati: NVMFS5C612NLAFT1G.pdf

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NVMFS5C612NLAFT1G specificazioni

codice articolo del costruttore	NVMFS5C612NLAFT1G
Numero di parte futuro	FT-NVMFS5C612NLAFT1G
SPQ / MOQ	Contattaci
Materiale di imballaggio	Reel/Tray/Tube/Others
serie	Automotive, AEC-Q101
NVMFS5C612NLAFT1G Stato (ciclo di vita)	Disponibile
Stato parte	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	60V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	38A (Ta), 250A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	1.36 mOhm @ 50A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	91nC @ 10V
Vgs (massimo)	±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	6660pF @ 25V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	3.8W (Ta), 167W (Tc)
temperatura di esercizio	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Pacchetto / caso	8-PowerTDFN, 5 Leads
Paese d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
NVMFS5C612NLAFT1G Peso	Contattaci
Numero parte di ricambio	NVMFS5C612NLAFT1G-FT

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