casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / NVMFS5C604NLT1G
codice articolo del costruttore | NVMFS5C604NLT1G |
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Numero di parte futuro | FT-NVMFS5C604NLT1G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
NVMFS5C604NLT1G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Discontinued at Future Semiconductor |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 40A (Ta), 287A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.2 mOhm @ 50A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 120nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 8900pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 3.9W (Ta), 200W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | 5-DFN (5x6) (8-SOFL) |
Pacchetto / caso | 8-PowerTDFN |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NVMFS5C604NLT1G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | NVMFS5C604NLT1G-FT |
NVMFS5833NT1G
ON Semiconductor
NVMFS5833NT3G
ON Semiconductor
NVMFS5833NWFT1G
ON Semiconductor
NVMFS5833NWFT3G
ON Semiconductor
NVMFS5834NLT3G
ON Semiconductor
NVMFS5834NLWFT3G
ON Semiconductor
NVMFS5844NLT1G
ON Semiconductor
NVMFS5844NLT3G
ON Semiconductor
NVMFS5844NLWFT3G
ON Semiconductor
NVMFS5885NLT1G
ON Semiconductor
XC4005E-1PQ100C
Xilinx Inc.
XC6SLX100-L1CSG484I
Xilinx Inc.
A3PN060-1VQ100I
Microsemi Corporation
10AX048K2F35E2LG
Intel
EP4S100G5F45I3
Intel
A40MX02-PLG44
Microsemi Corporation
XC7A25T-2CPG238C
Xilinx Inc.
LFEC15E-4F484C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXBA3D6F31C6N
Intel
EP1S40F1508C6N
Intel