casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / NVMFS5C456NLAFT1G
codice articolo del costruttore | NVMFS5C456NLAFT1G |
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Numero di parte futuro | FT-NVMFS5C456NLAFT1G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101 |
NVMFS5C456NLAFT1G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 40V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 87A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.7 mOhm @ 20A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 18nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1600pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 55W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | 5-DFN (5x6) (8-SOFL) |
Pacchetto / caso | 8-PowerTDFN, 5 Leads |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NVMFS5C456NLAFT1G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | NVMFS5C456NLAFT1G-FT |
NTMFS4847NAT3G
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NTMFS4852NT3G
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NTMFS4897NFT1G
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LFXP6E-3Q208C
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5SGSMD4H3F35C4N
Intel