casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / NVMFS5C450NLT1G
codice articolo del costruttore | NVMFS5C450NLT1G |
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Numero di parte futuro | FT-NVMFS5C450NLT1G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
NVMFS5C450NLT1G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Discontinued at Future Semiconductor |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 40V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | - |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.8 mOhm @ 40A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 35nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 2100pF @ 20V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 3.7W (Ta), 68W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | 5-DFN (5x6) (8-SOFL) |
Pacchetto / caso | 8-PowerTDFN |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NVMFS5C450NLT1G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | NVMFS5C450NLT1G-FT |
NTMFS5830NLT1G
ON Semiconductor
NTMFS5834NLT1G
ON Semiconductor
NTMFS5C612NLT1G-UIL5
ON Semiconductor
NTMFS5H425NLT1G
ON Semiconductor
NTMFS5H431NLT1G
ON Semiconductor
NTMFS5H615NLT1G
ON Semiconductor
NVMFS4841NT1G
ON Semiconductor
NVMFS4841NWFT1G
ON Semiconductor
NVMFS4C01NT3G
ON Semiconductor
NVMFS4C01NWFT3G
ON Semiconductor
XCV1000E-8FG900C
Xilinx Inc.
LCMXO640C-4FTN256I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO3L-9400C-5BG484I
Lattice Semiconductor Corporation
M1AGL250V2-VQ100
Microsemi Corporation
M1AGL250V5-VQG100
Microsemi Corporation
EP2S60F484C5
Intel
5SGXMA7K3F40C3
Intel
XC4020E-2HQ208I
Xilinx Inc.
5AGXMA7G4F35I5N
Intel
EPF8820QC160-4
Intel