casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / NVMFS5C404NWFT1G
codice articolo del costruttore | NVMFS5C404NWFT1G |
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Numero di parte futuro | FT-NVMFS5C404NWFT1G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
NVMFS5C404NWFT1G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Discontinued at Future Semiconductor |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 40V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 53A (Ta), 378A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 0.7 mOhm @ 50A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 128nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 8400pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 3.9W (Ta), 200W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | 5-DFN (5x6) (8-SOFL) |
Pacchetto / caso | 8-PowerTDFN |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NVMFS5C404NWFT1G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | NVMFS5C404NWFT1G-FT |
NTMFS4827NET1G
ON Semiconductor
NTMFS4827NET3G
ON Semiconductor
NTMFS4834NT3G
ON Semiconductor
NTMFS4835NT3G
ON Semiconductor
NTMFS4836NT1G
ON Semiconductor
NTMFS4836NT3G
ON Semiconductor
NTMFS4837NHT3G
ON Semiconductor
NTMFS4837NT1G
ON Semiconductor
NTMFS4837NT3G
ON Semiconductor
NTMFS4839NHT1G
ON Semiconductor
ICE40UL640-SWG16ITR50
Lattice Semiconductor Corporation
A54SX16P-VQ100M
Microsemi Corporation
AT40K05AL-1DQC
Microchip Technology
5SGXEA9N2F45I2N
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ICE40LP640-CM36
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LFXP2-8E-5FTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO256E-3M100I
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LCMXO1200E-3MN132I
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SL110F780C3N
Intel
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