casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFET - Array / NVMFD5875NLWFT3G
codice articolo del costruttore | NVMFD5875NLWFT3G |
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Numero di parte futuro | FT-NVMFD5875NLWFT3G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
NVMFD5875NLWFT3G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) |
Caratteristica FET | Logic Level Gate |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 7A |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 33 mOhm @ 7.5A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 20nC @ 10V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 540pF @ 25V |
Potenza - Max | 3.2W |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 8-PowerTDFN |
Pacchetto dispositivo fornitore | 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NVMFD5875NLWFT3G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | NVMFD5875NLWFT3G-FT |
MMDF2C03HDR2G
ON Semiconductor
MMDF2N02ER2
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MMDF2N02ER2G
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MMDF2P02ER2G
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MMDF2P02HDR2
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MMDF2P02HDR2G
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MMDF3N04HDR2
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MMDF3N04HDR2G
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MVDF1N05ER2G
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MVDF2C03HDR2G
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