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ON Semiconductor NVMFD5873NLT1G

Numero parte MFG
NVMFD5873NLT1G
quantità disponibile
18360 pezzi
Prezzo di riferimento
USD 0.873296
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fabbricante
ON Semiconductor
Breve descrizione
- MOSFET 2N-CH 60V 10A SO8FL
Stato senza piombo / Stato RoHS
Conformità RoHS (senza piombo)
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (illimitato)
Codice data (D / C)
Nuovo
categoria di prodotto
Transistor - FET, MOSFET - Array
Risorsa stock
Distributore in franchising
Garanzia
360 giorni di garanzia di qualità
scheda dati
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codice articolo del costruttore NVMFD5873NLT1G
Numero di parte futuro FT-NVMFD5873NLT1G
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Materiale di imballaggio Reel/Tray/Tube/Others
serie -
NVMFD5873NLT1G Stato (ciclo di vita) Disponibile
Stato parte Not For New Designs
Tipo FET 2 N-Channel (Dual)
Caratteristica FET Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss) 60V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 10A
Rds On (Max) @ Id, Vgs 13 mOhm @ 15A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 30.5nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1560pF @ 25V
Potenza - Max 3.1W
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto / caso 8-PowerTDFN
Pacchetto dispositivo fornitore 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Paese d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
NVMFD5873NLT1G Peso Contattaci
Numero parte di ricambio NVMFD5873NLT1G-FT

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