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ON Semiconductor NVGS3130NT1G

Numero parte MFG
NVGS3130NT1G
quantità disponibile
91060 pezzi
Prezzo di riferimento
USD 0.4174
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fabbricante
ON Semiconductor
Breve descrizione
- MOSFET N-CH 20V 4.2A 6TSOP
Stato senza piombo / Stato RoHS
Conformità RoHS (senza piombo)
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (illimitato)
Codice data (D / C)
Nuovo
categoria di prodotto
Transistor - FET, MOSFETs - Single
Risorsa stock
Distributore in franchising
Garanzia
360 giorni di garanzia di qualità
scheda dati
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Numero di parte futuro FT-NVGS3130NT1G
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Materiale di imballaggio Reel/Tray/Tube/Others
serie -
NVGS3130NT1G Stato (ciclo di vita) Disponibile
Stato parte Active
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 4.2A (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) 2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 24 mOhm @ 5.6A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id 1.4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 20.3nC @ 4.5V
Vgs (massimo) ±8V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 935pF @ 16V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) 600mW (Ta)
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore 6-TSOP
Pacchetto / caso SOT-23-6
Paese d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
NVGS3130NT1G Peso Contattaci
Numero parte di ricambio NVGS3130NT1G-FT

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