casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / NVD6416ANLT4G-VF01
codice articolo del costruttore | NVD6416ANLT4G-VF01 |
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Numero di parte futuro | FT-NVD6416ANLT4G-VF01 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
NVD6416ANLT4G-VF01 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 19A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 74 mOhm @ 19A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.2V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 40nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1000pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 71W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | DPAK-3 |
Pacchetto / caso | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NVD6416ANLT4G-VF01 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | NVD6416ANLT4G-VF01-FT |
NTD14N03R
ON Semiconductor
NTD14N03RG
ON Semiconductor
NTD14N03RT4
ON Semiconductor
NTD15N06LT4
ON Semiconductor
NTD15N06T4
ON Semiconductor
NTD18N06
ON Semiconductor
NTD18N06G
ON Semiconductor
NTD18N06L
ON Semiconductor
NTD18N06LG
ON Semiconductor
NTD18N06LT4
ON Semiconductor
EP20K100ETC144-1N
Intel
LFXP3C-3T100I
Lattice Semiconductor Corporation
XC2S100-5PQ208I
Xilinx Inc.
A3PE600-PQG208
Microsemi Corporation
10AX027E4F29I3SG
Intel
5SEE9H40C2LN
Intel
A40MX04-PL84I
Microsemi Corporation
ICE40UL1K-CM36AITR
Lattice Semiconductor Corporation
LFXP15C-3FN256I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-95EA-6LFN672C
Lattice Semiconductor Corporation