casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / NVD5C434NT4G
codice articolo del costruttore | NVD5C434NT4G |
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Numero di parte futuro | FT-NVD5C434NT4G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101 |
NVD5C434NT4G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 40V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 163A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.1 mOhm @ 50A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 80.6nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 5400pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 117W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | DPAK (SINGLE GAUGE) |
Pacchetto / caso | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NVD5C434NT4G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | NVD5C434NT4G-FT |
5HP01M-TL-H
ON Semiconductor
5LN01M-TL-E
ON Semiconductor
5LN01M-TL-H
ON Semiconductor
5LP01M-TL-E
ON Semiconductor
5LP01M-TL-H
ON Semiconductor
5LP01M-TL-HX
ON Semiconductor
MMBF2201NT1
ON Semiconductor
MMBF2202PT1
ON Semiconductor
MMBF2202PT1G
ON Semiconductor
NTS2101PT1
ON Semiconductor
A3P030-2QNG68I
Microsemi Corporation
A1425A-1PQ100I
Microsemi Corporation
XC4052XL-09HQ304C
Xilinx Inc.
A3P125-2PQ208I
Microsemi Corporation
A3P250L-VQG100I
Microsemi Corporation
EP3CLS100F484C7
Intel
EP2AGX125DF25C4N
Intel
EP2AGX65DF25C5
Intel
5CEBA5U19C8N
Intel
EP1C20F324I7N
Intel