casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / NVD4806NT4G
codice articolo del costruttore | NVD4806NT4G |
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Numero di parte futuro | FT-NVD4806NT4G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
NVD4806NT4G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 11.3A (Ta), 79A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 4.5V, 11.5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6 mOhm @ 30A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 23nC @ 4.5V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 2142pF @ 12V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 1.4W (Ta), 68W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | DPAK |
Pacchetto / caso | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NVD4806NT4G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | NVD4806NT4G-FT |
NDD60N745U1T4G
ON Semiconductor
NDD60N900U1T4G
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NDDL01N60ZT4G
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