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ON Semiconductor NVC6S5A354PLZT1G

Name: NVC6S5A354PLZT1G
Brand: ON Semiconductor
SKU: NVC6S5A354PLZT1G
Price: 0.210632 USD
Availability: InStock
Rating: 4.7 (355 reviews)

Numero parte MFG: NVC6S5A354PLZT1G

quantità disponibile: 99530 pezzi

Prezzo di riferimento: USD 0.210632

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fabbricante: ON Semiconductor

Breve descrizione: - MOSFET P-CHANNEL 60V 4A 6-CPH

Stato senza piombo / Stato RoHS: Conformità RoHS (senza piombo)

Livello di sensibilità all'umidità (MSL): 1 (illimitato)

Codice data (D / C): Nuovo

categoria di prodotto: Transistor - FET, MOSFETs - Single

Risorsa stock: Distributore in franchising

Garanzia: 360 giorni di garanzia di qualità

scheda dati: NVC6S5A354PLZT1G.pdf

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NVC6S5A354PLZT1G specificazioni

codice articolo del costruttore	NVC6S5A354PLZT1G
Numero di parte futuro	FT-NVC6S5A354PLZT1G
SPQ / MOQ	Contattaci
Materiale di imballaggio	Reel/Tray/Tube/Others
serie	-
NVC6S5A354PLZT1G Stato (ciclo di vita)	Disponibile
Stato parte	Active
Tipo FET	P-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	60V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	4A (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	4V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	100 mOhm @ 2A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.6V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	14nC @ 10V
Vgs (massimo)	±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	600pF @ 20V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	1.9W (Ta)
temperatura di esercizio	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	6-CPH
Pacchetto / caso	SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Paese d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
NVC6S5A354PLZT1G Peso	Contattaci
Numero parte di ricambio	NVC6S5A354PLZT1G-FT

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