casa / prodotti / Protezione del circuito / TVS - Diodi / NUP8010MNT1G
codice articolo del costruttore | NUP8010MNT1G |
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Numero di parte futuro | FT-NUP8010MNT1G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
NUP8010MNT1G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
genere | Zener |
Canali unidirezionali | 6 |
Canali bidirezionali | - |
Voltage - Reverse Standoff (Typ) | 3V (Max) |
Voltage - Breakdown (Min) | 5.3V |
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp | 13V |
Corrente - Impulso di picco (10 / 1000μs) | 1.6A (8/20µs) |
Potenza - Peak Pulse | 20W |
Protezione della linea di alimentazione | No |
applicazioni | General Purpose |
Capacità @ frequenza | 13pF @ 1MHz |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 8-VFDFN Exposed Pad |
Pacchetto dispositivo fornitore | 8-DFN (1.6x1.6) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NUP8010MNT1G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | NUP8010MNT1G-FT |
PESD12VS5UD,115
Nexperia USA Inc.
PESD5V0S4UD,115
Nexperia USA Inc.
PRTR5V0U4D,125
Nexperia USA Inc.
TVS3V3L4UE6327HTSA1
Infineon Technologies
SZNUP4301MR6T1G
ON Semiconductor
IP4220CZ6F
Nexperia USA Inc.
PESD3V3S5UD,115
Nexperia USA Inc.
SMS05T1G
ON Semiconductor
CM1213A-04SO
ON Semiconductor
SZMMQA6V8T1G
ON Semiconductor
AFS600-1FG256K
Microsemi Corporation
AGLN250V2-ZVQG100
Microsemi Corporation
EP1SGX25DF672C5
Intel
EP3SE50F484I4L
Intel
10M50SAE144I7G
Intel
5CGXFC4F6M11C6N
Intel
XC6VLX130T-2FFG784I
Xilinx Inc.
A42MX09-1TQ176
Microsemi Corporation
LFE3-35EA-7FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K100FC324-1X
Intel