casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / NTTFS4C06NTAG
codice articolo del costruttore | NTTFS4C06NTAG |
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Numero di parte futuro | FT-NTTFS4C06NTAG |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
NTTFS4C06NTAG Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 11A (Ta), 67A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.2 mOhm @ 30A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.2V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 36nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 3366pF @ 15V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 810mW (Ta), 31W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | 8-WDFN (3.3x3.3) |
Pacchetto / caso | 8-PowerWDFN |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NTTFS4C06NTAG Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | NTTFS4C06NTAG-FT |
NTGS3441BT1G
ON Semiconductor
NTGS3441PT1G
ON Semiconductor
NTGS3441T1
ON Semiconductor
NTGS3443BT1G
ON Semiconductor
NTGS3443T1
ON Semiconductor
NTGS3443T2G
ON Semiconductor
NTGS3446T1
ON Semiconductor
NTGS3447PT1G
ON Semiconductor
NTGS3455T1
ON Semiconductor
NTGS4111PT1
ON Semiconductor
A3PE600-2FGG484I
Microsemi Corporation
M1A3P600-2PQ208
Microsemi Corporation
LFE3-35EA-8LFTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
AGLN060V5-ZVQ100
Microsemi Corporation
10M25DAF256C7G
Intel
EP3SE260F1152I3
Intel
LCMXO640C-4M100C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SE110F780C2
Intel
10AX048E2F29I1HG
Intel
EP20K60EQC208-1
Intel