casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / NTTFS4930NTWG
codice articolo del costruttore | NTTFS4930NTWG |
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Numero di parte futuro | FT-NTTFS4930NTWG |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
NTTFS4930NTWG Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 4.5A (Ta), 23A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 23 mOhm @ 6A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.2V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 5.5nC @ 4.5V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 476pF @ 15V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 790mW (Ta), 20.2W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | 8-WDFN (3.3x3.3) |
Pacchetto / caso | 8-PowerWDFN |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NTTFS4930NTWG Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | NTTFS4930NTWG-FT |
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