casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / NTR1P02T3
codice articolo del costruttore | NTR1P02T3 |
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Numero di parte futuro | FT-NTR1P02T3 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
NTR1P02T3 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | P-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 1A (Ta) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 180 mOhm @ 1.5A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.3V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 2.5nC @ 5V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 165pF @ 5V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 400mW (Ta) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | SOT-23-3 (TO-236) |
Pacchetto / caso | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NTR1P02T3 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | NTR1P02T3-FT |
BSS138-F085
ON Semiconductor
NTR5103NT1G
ON Semiconductor
NTR4101PT1G
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NTR4501NT1G
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NTR4003NT3G
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NTR5198NLT1G
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XC3S50A-4TQ144I
Xilinx Inc.
M1A3P400-FGG256
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M1A3P250-2PQG208
Microsemi Corporation
EP3C40F484C7N
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10M40SAE144I7G
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5SGXEBBR1H43C2LN
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LCMXO2-7000HE-4FG484C
Lattice Semiconductor Corporation
5CGXFC9C6F23I7N
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EP20K200CB356C9
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EPF8820AQC208-4AA
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