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ON Semiconductor NTMSD6N303R2SG

Numero parte MFG
NTMSD6N303R2SG
quantità disponibile
51090 pezzi
Prezzo di riferimento
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fabbricante
ON Semiconductor
Breve descrizione
FETKY™ MOSFET N-CH 30V 6A 8-SOIC
Stato senza piombo / Stato RoHS
Conformità RoHS (senza piombo)
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (illimitato)
Codice data (D / C)
Nuovo
categoria di prodotto
Transistor - FET, MOSFETs - Single
Risorsa stock
Distributore in franchising
Garanzia
360 giorni di garanzia di qualità
scheda dati
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codice articolo del costruttore NTMSD6N303R2SG
Numero di parte futuro FT-NTMSD6N303R2SG
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Materiale di imballaggio Reel/Tray/Tube/Others
serie FETKY™
NTMSD6N303R2SG Stato (ciclo di vita) Disponibile
Stato parte Obsolete
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 6A (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 32 mOhm @ 6A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 30nC @ 10V
Vgs (massimo) ±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 950pF @ 24V
Caratteristica FET Schottky Diode (Isolated)
Dissipazione di potenza (max) 2W (Ta)
temperatura di esercizio -
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore 8-SOIC
Pacchetto / caso 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Paese d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
NTMSD6N303R2SG Peso Contattaci
Numero parte di ricambio NTMSD6N303R2SG-FT

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