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ON Semiconductor NTMSD3P303R2G

Name: NTMSD3P303R2G
Brand: ON Semiconductor
SKU: NTMSD3P303R2G
Availability: InStock
Rating: 4.6 (681 reviews)

Numero parte MFG: NTMSD3P303R2G

quantità disponibile: 15110 pezzi

Prezzo di riferimento: USD 0

Il nostro prezzo: Abbiamo un grande sconto, non esitate a contattarci

Data di spedizione: Oggi possiamo spedire

fabbricante: ON Semiconductor

Breve descrizione: FETKY™ MOSFET P-CH 30V 2.34A 8-SOIC

Stato senza piombo / Stato RoHS: Conformità RoHS (senza piombo)

Livello di sensibilità all'umidità (MSL): 1 (illimitato)

Codice data (D / C): Nuovo

categoria di prodotto: Transistor - FET, MOSFETs - Single

Risorsa stock: Distributore in franchising

Garanzia: 360 giorni di garanzia di qualità

scheda dati: NTMSD3P303R2G.pdf

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NTMSD3P303R2G specificazioni

codice articolo del costruttore	NTMSD3P303R2G
Numero di parte futuro	FT-NTMSD3P303R2G
SPQ / MOQ	Contattaci
Materiale di imballaggio	Reel/Tray/Tube/Others
serie	FETKY™
NTMSD3P303R2G Stato (ciclo di vita)	Disponibile
Stato parte	Obsolete
Tipo FET	P-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	2.34A (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	85 mOhm @ 3.05A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	25nC @ 10V
Vgs (massimo)	±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	750pF @ 24V
Caratteristica FET	Schottky Diode (Isolated)
Dissipazione di potenza (max)	730mW (Ta)
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	8-SOIC
Pacchetto / caso	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Paese d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
NTMSD3P303R2G Peso	Contattaci
Numero parte di ricambio	NTMSD3P303R2G-FT

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