casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / NTMS4706NR2G
codice articolo del costruttore | NTMS4706NR2G |
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Numero di parte futuro | FT-NTMS4706NR2G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
NTMS4706NR2G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 6.4A (Ta) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 12 mOhm @ 10.3A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 15nC @ 4.5V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 950pF @ 24V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 830mW (Ta) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | 8-SOIC |
Pacchetto / caso | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NTMS4706NR2G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | NTMS4706NR2G-FT |
NTB45N06LT4
ON Semiconductor
NTB52N10G
ON Semiconductor
NTB52N10T4G
ON Semiconductor
NTB5404NT4G
ON Semiconductor
NTB5405NG
ON Semiconductor
NTB5411NT4G
ON Semiconductor
NTB5412NT4G
ON Semiconductor
NTB5426NT4G
ON Semiconductor
NTB5605P
ON Semiconductor
NTB5605PG
ON Semiconductor
XC3S1600E-5FGG320C
Xilinx Inc.
XC3S250E-4VQ100I
Xilinx Inc.
M1AGL600V5-FG484I
Microsemi Corporation
LCMXO3LF-6900C-6BG400C
Lattice Semiconductor Corporation
EP4CGX50CF23C7
Intel
5SGXEA3K1F40C2L
Intel
5SGXMA3K2F40C2LN
Intel
5SGXEB6R3F43C2LN
Intel
XC6VLX195T-3FFG784C
Xilinx Inc.
5CGXFC4C7U19C8N
Intel