casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / NTMFS5C645NLT3G
codice articolo del costruttore | NTMFS5C645NLT3G |
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Numero di parte futuro | FT-NTMFS5C645NLT3G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
NTMFS5C645NLT3G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 22A (Ta), 100A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4 mOhm @ 50A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 34nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 2200pF @ 50V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 3.7W (Ta), 79W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | 5-DFN (5x6) (8-SOFL) |
Pacchetto / caso | 8-PowerTDFN, 5 Leads |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NTMFS5C645NLT3G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | NTMFS5C645NLT3G-FT |
DMP2070UCB6-7
Diodes Incorporated
DMN95H2D2HCTI
Diodes Incorporated
NTTFS5CS70NLTAG
ON Semiconductor
DMN2025UFDF-7
Diodes Incorporated
NTMFS4C06NAT1G
ON Semiconductor
DMN2025UFDF-13
Diodes Incorporated
DMP3007SCG-7
Diodes Incorporated
DMTH6016LK3-13
Diodes Incorporated
EPC2052
EPC
NTMFS08N2D5C
ON Semiconductor
XC3S200-4FTG256I
Xilinx Inc.
XC4020XL-1PQ208C
Xilinx Inc.
M1AFS250-FG256
Microsemi Corporation
10M40DCF256C7G
Intel
5SGSED8K2F40I2N
Intel
XC2V2000-5FF896I
Xilinx Inc.
M2GL060T-FGG676
Microsemi Corporation
A40MX04-PQG100M
Microsemi Corporation
LFEC15E-5F484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1SGX40GF1020I6
Intel