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ON Semiconductor NTMFS4H02NT1G

Numero parte MFG
NTMFS4H02NT1G
quantità disponibile
22640 pezzi
Prezzo di riferimento
USD 1.7248
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fabbricante
ON Semiconductor
Breve descrizione
- MOSFET N-CH 25V 37A SO8FL
Stato senza piombo / Stato RoHS
Conformità RoHS (senza piombo)
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (illimitato)
Codice data (D / C)
Nuovo
categoria di prodotto
Transistor - FET, MOSFETs - Single
Risorsa stock
Distributore in franchising
Garanzia
360 giorni di garanzia di qualità
scheda dati
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Numero di parte futuro FT-NTMFS4H02NT1G
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Materiale di imballaggio Reel/Tray/Tube/Others
serie -
NTMFS4H02NT1G Stato (ciclo di vita) Disponibile
Stato parte Active
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 25V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 37A (Ta), 193A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.4 mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 38.5nC @ 10V
Vgs (massimo) ±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 2651pF @ 12V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) 3.13W (Ta), 83W (Tc)
temperatura di esercizio 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Pacchetto / caso 8-PowerTDFN
Paese d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
NTMFS4H02NT1G Peso Contattaci
Numero parte di ricambio NTMFS4H02NT1G-FT

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